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HBM:为GPU“喂数据”的超级高速公路
2025-11-06 55

一、引言:AI时代的“内存革命”

在生成式AI、超算和高性能GPU的浪潮中,有一种看似低调却决定算力上限的关键部件——HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)

如果把GPU比作一台拥有数万气缸的超高性能引擎,那么HBM就是为它提供燃料的“供油系统”。

油供不上,再好的引擎也只能空转。HBM的使命,就是让数据以“洪流”的速度流入GPU核心,而不是被“滴灌”。




二、HBM是什么:不是“芯片”,而是“系统级接口标准”

许多人以为HBM是一种新的内存芯片,其实更准确地说,HBM是一种定义了“如何让DRAM以极高带宽互连”的接口与封装技术规范

它不是在单颗芯片上堆性能,而是在“堆叠”和“互连”上下功夫。

一个完整的HBM模块通常由:

  • 多层垂直堆叠的 DRAM芯片(Die)(4层、8层、甚至12层);
  • 内部贯穿每一层的 TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)
  • 以及连接GPU与HBM的 中介层(Interposer) 共同组成。

HBM的核心思路是:让数据在最短路径内穿越最多的并行通道

传统GDDR的思路是“跑得快”(高频),HBM的思路是“路更多”(宽位宽)。结果是:单位时间传输量呈数量级提升。


三、GPU与HBM的关系:算力与供给的“饥饿游戏”

1. GPU的“胃口”

GPU(图形处理器)天生是“并行怪兽”。

一颗如NVIDIA H100的GPU拥有18,432个CUDA核心,相当于上万个小计算单元同时吃数据。

但问题是,这些核心吃得太快。如果内存送数据的速度跟不上,GPU就会“饿着”——

这就是所谓的内存瓶颈(Memory Bottleneck)

2. 带宽的定义与瓶颈

内存带宽(Memory Bandwidth)表示单位时间内内存可传输的数据量。

计算公式:

带宽(GB/s) = [总线位宽(bit) × 有效传输速率(GT/s)] ÷ 8

HBM的革命性突破在于:

  • 位宽极宽

    :每堆HBM的总线可达1024位甚至2048位;
  • 传输频率高

    :每秒传输速率可达6.4GT/s以上;
  • 距离极短、损耗极低

    :得益于中介层互连。

结果就是:

HBM3E带宽 ≈ 1.2 TB/s
GDDR6带宽 ≈ 0.064 TB/s
也就是说,HBM的“供料速度”是GDDR的近20倍。

3. 为什么AI必须用HBM?

AI训练和推理(尤其是大型语言模型、图像生成模型)涉及数百GB到数TB的数据流

这些数据要在GPU与内存之间不停来回传递:

参数 → 激活值 → 梯度 → 更新。

如果带宽不够,GPU核心就像赛车堵在加油站门口——算力再强也没法发挥。

HBM的高带宽和低延迟正是为了解决这种“算力饥饿”。


四、HBM的结构:从“平面走线”到“垂直通道”

1. 3D堆叠(Stack)

传统DRAM是平铺在PCB上的,而HBM将多颗DRAM芯片垂直堆叠,通过微凸块(Microbump)层层互连。

这就像把存储单元从“平面社区”变成“摩天大楼”,在相同面积下,容量和通道密度成倍增加。

2. 硅通孔(TSV)

每一层DRAM芯片内部钻出直径仅5-10微米的通孔,填入铜或钨等导电材料。

这些通孔就是信号、电源、地线的垂直“电梯井”。

它们实现:

  • 最短互连路径(仅50~100微米);

  • 最高互连密度(数万通道);

  • 最低信号延迟与功耗。

换句话说,TSV让“楼层之间的数据”以几乎无延迟的方式直达。

这就是HBM得以实现“超宽总线位宽”的硬件根基。

3. 中介层(Interposer)

GPU与HBM堆栈并不是直接焊在PCB上,而是共同安装在一块中介层上。

中介层是一块超高密度布线的硅基基板(或高端有机基板),线宽/线距可达1μm级。

它的作用:

  • 承载GPU和HBM;
  • 提供超密互连桥梁,在毫米级距离内连接数千I/O信号;
  • 保证信号完整性、低延迟、低功耗。

你可以把中介层想象成一块“高架桥系统”,

GPU与HBM之间通过成千上万条“微型高速公路”直连,信号几乎不绕路、不打弯。


五、HBM的演进:从1代到4代的“极限竞速”

代别

典型带宽(每堆)

数据速率

堆叠层数

状态

HBM1

~128 GB/s

1 Gbps

4

已退役

HBM2

~256 GB/s

2 Gbps

8

主流

HBM2E

~460 GB/s

3.6 Gbps

8

AI训练主力

HBM3

~819 GB/s

6.4 Gbps

12

高端AI应用

HBM3E

~1225 GB/s

9.2 Gbps

12

2024-2025量产

HBM4

>1500 GB/s

>12 Gbps

16(预期)

研发中

未来的HBM4正在朝着更高层数、更宽位宽、芯片直接集成(3D-SoIC)方向演进。

这意味着GPU与HBM的边界将越来越模糊,甚至可能直接在硅片上“融合”




六、技术挑战:HBM不是“堆上去就能跑”

HBM带来的不仅是性能飞跃,也是一系列新的制造挑战:

  1. TSV可靠性与应力管理

TSV的机械应力可能引发微裂纹,导致芯片翘曲或失效。

工艺需精确控制通孔蚀刻、填充、热循环匹配。

  1. 热管理

多层堆叠意味着热量更集中。HBM堆栈内部热阻高,需要更高效的散热通道与热界面材料。

  1. 中介层制造复杂性与成本

硅中介层的布线精度极高,良率直接决定封装成本。每增加一条信号线,成本几乎线性上升。

  1. 测试与良率控制

多层堆叠带来测试难度。任何一层失效都可能报废整个堆栈,因此需要层级测试与Known Good Die (KGD) 策略。


七、总结:HBM,是AI算力的“隐形地基”

HBM的本质是——用三维堆叠和超密互连,把带宽做成“面”而不是“线”

它改变了内存与计算芯片之间的关系,从“独立模块”变成“紧密耦合系统”。

AI GPU、超级计算、数据中心,乃至未来的Chiplet体系,都以HBM为带宽支撑的核心。

一句话总结:

GDDR让GPU能跑,HBM让GPU能“飞”。
它不是快一点的内存,而是彻底重塑了“数据流动的物理结构”。

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