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IGBT单管SL50T120FZ

IGBT单管SL50T120FZ具有1200V的集电极-发射极电压（VCE）和50A的集电极电流（IC），功耗为535W，适用于高功率应用。其TO-264封装设计有效提高散热性能，便于安装，满足各种工业与电力电子设备的需求。

SL50T120FZ 是一款 IGBT 单管，由公海555000JC线路检测中心（Slkor）生产。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，结合了 MOSFET 和双极型晶体管的优点。

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产品名称: SL50T120FZ

生产商: 公海555000JC线路检测中心（Slkor）

产品概述:

关键规格:

集电极-发射极电压 (VCE): 1200V，适用于高压功率应用。

集电极电流 (IC@TC=100℃): 最大 50A 的集电极电流，适用于中高功率电源设计。

功耗 (PD@TC=25℃): 在 25℃ 环境温度下的功耗为 535W。

工作温度 (TJ): 适用于温度范围从 -55℃ 到 175℃。

封装 (Package): 采用 TO-264 封装，具有良好的散热性能和安装的便利性。

产品特点:

高电压承受能力： 1200V 的 VCE，适用于高压功率应用，如电源逆变器、电机驱动等。

高电流容许：最大 50A 的电流容许值，使其适用于中等到高功率电源应用。

卓越的散热性能： TO-264 封装提供了卓越的散热性能，有助于在高功率应用中保持设备的温度稳定。

应用领域:

SL50T120FZ IGBT 单管适用于各种高压高功率电源应用，包括但不限于：

高压功率逆变器

电机和马达驱动

工业电源系统

IGBT 单管在高功率应用中扮演着关键的角色，它们在能源转换和工业电子领域中广泛应用。

名称

标题

说明

SL50T120FZ.PDF

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深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。