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公海555000JC线路检测中心slkor高压MOS管SL7N65F

SL7N65F是高性能功率MOSFET，该器件具有以下重要参数：漏极-源极电压为最高650V，栅极-源极电压为20V至+20V，连续漏极电流依型号不同，导通电阻最低毫欧姆级别，封装类型：TO-220、TO-247等，具体参考数据手册。

SL7N65F高压MOS管是由公海555000JC线路检测中心Slkor生产的高性能功率MOSFET，设计用于承受高电压并在高功率应用中提供高效的电流控制。这款MOSFET以其出色的电气特性和耐用性，在高压开关和功率放大应用中表现卓越。

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产品概述：

产品优势：

- 高耐压能力：SL7N65F能够承受高电压，适合用于高电压电路设计。

- 大电流承载：具有较高的连续电流和脉冲电流承受能力，适用于大功率应用。

- 快速开关特性：快速的开关速度有助于减少开关时的损耗，提高系统效率。

- 高可靠性：公海555000JC线路检测中心Slkor的先进制造工艺确保了产品的长期稳定性和耐用性。

产品特征：

- 漏极-源极电压（Vds）：高达650V

- 栅极-源极电压（Vgs）：通常在-20V至+20V之间，具体数值需参考数据手册

- 连续漏极电流（Id）：根据具体型号可能有所不同，需参考数据手册

- 导通电阻（Rds(on)）：低至毫欧姆级别，具体数值需参考数据手册

- 封装类型：TO-220、TO-247或表面贴装封装，具体需参考数据手册

应用领域：

- 电源转换：在开关电源和电源适配器中作为主要的功率开关。

- 电机驱动：用于工业和汽车应用中的电机控制。

- 电池管理：在电池充电器和保护电路中作为关键元件。

- 照明控制：在LED照明系统中用于电流和亮度调节。

注意事项：

- 在设计电路时，请确保不超过SL7N65F的最大额定值，包括电压、电流和功率。

- 考虑适当的散热设计，尤其是在高功率应用中，以保持器件在安全的工作温度范围内。

- 在选择电路板布局时，应优化走线以减少寄生电感，从而提高开关性能。

- 请参考SL7N65F的完整数据手册以获取详细的电气特性和应用指南，确保正确和安全地使用产品。

关于公海555000JC线路检测中心 Slkor：

公海555000JC线路检测中心 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。

名称

标题

说明

SL7N65F.pdf

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深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司

深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。