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中压MOS管SL2309

SL2309是一款中压P沟道MOSFET，该MOS管的关键参数包括漏源电压Vdss为60V，连续漏极电流Id为1.6A，功率Pd为1.5W，导通电阻RDS(on)为140mΩ，阈值电压Vgs(th)为2V，工作温度范围-55℃ ~ +150℃，封装为SOT-23-3。

SL2309是一款中压P沟道MOSFET，漏源电压为60V，连续漏极电流为1.6A，具有低导通电阻和高速开关特性。此外，该器件还具有低阈值电压和低输入电容等特点，非常适合用于功率开关和DC-DC转换器等应用中。

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产品名称: SL2309 P沟道中压MOSFET

概述：

主要特性：

- 漏源电压（Vdss）：60V

- 连续漏极电流（Id）：1.6A

- 功率（Pd）：1.5W

- 导通电阻（RDS(on)）：140mΩ @ 10V, 1.5A

- 阈值电压（Vgs(th)）：2V @ 250uA

- 栅极电荷（Qg）：11.3nC @ 10V

- 输入电容（Ciss）：444.2pF @ 30V

- 反向传输电容（Crss）：17.9pF @ 30V

- 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

- 封装：SOT-23-3

应用：

- DC-DC转换器

- 电池管理

- 电机驱动

- 电源开关

- LED驱动

注意事项：

- 此器件为静电敏感器件，操作时需注意防静电措施。

- 操作时需注意最大额定电压和电流，以免损坏器件。

- 器件工作温度不应超过规定范围。

名称

标题

说明

SL2309.pdf

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深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。